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电话
0319-5856259
传真
0319-5800195
地址
邢台宁晋晶龙工业园

晶兴电子材料有限公司简介
  晶兴电子材料有限公司成立于2004年9月,由晶龙集团与香港其昌公司合资创建。公司位于宁晋县西城区308国道北侧,是以生产单晶硅棒为主导产品的高新技术企业。
  公司拥有居世界先进水平的直拉单晶炉等生产设备,主要生产包括太阳能单晶硅和重掺单晶硅等产品,广泛用于电子、航天、发电等高科技领域。
  公司现有员工194人,管理层和技术管理人员具有大学学历和高中级专业技术职称,生产员工经过了专业技术培训,具有熟练的技术技能。现已形成了一支能吃苦、善经营、技术全面、阵容整齐、领导与职工凝聚力强、作风过硬的员工队伍。
  公司遵循“以质量求生存、以技术创新求发展、坚持信誉第一”的宗旨,不断提高生产技术工艺水平,严把质量关,保证产品质量,满足顾客的需求,产品畅销国内,还与美国、日本等国和台湾地区的客户建立了稳定的贸易关系。
  
背场烧结工艺中吸杂对单晶硅片氧碳及少子寿命的影响

  本文采用φ200mm、厚度400mm、电阻率为2-5Ω·cm的P<100>CZ硅片制作硅光单体电源,通过改变铝背场厚度来观察烧结工艺后少子寿命和硅中氧、碳型态的变化。
  实验发现:背场吸杂对光电转换效率有直接影响,Si-Al合金层烧结产生的晶格应力对杂质起到有效吸附作用,从而减少了wafer体内的载流子复合中心,提高了光生载流子的扩散长度,使非平衡少子寿命提高。Al背场厚度不同对太阳电池的参数带来一定影响。

复合式热屏对φ200mmCZSi单晶生长速率和氧含量的影响
  对φ200mm太阳能CZSi单晶生长的传统热场进行了改进,施加了复合式热屏,对改进前后热场温度梯度、单晶氧含量进行了实验分析,并对该系统的氩气流进行了数值模拟,研究了复合式热屏影响拉速和单晶含量的机理,实验表明本文采用的复合式热屏和氩气流场可以提高拉速,降低硅单晶氧含量。
晶兴大事记
 
 
2004年9月 晶兴电子材料有限公司成立
2005年1月 晶力电子材料有限公司与晶鑫电子材料有限公司合并到晶兴电子材料有限公司
2005年   获得县纳税先进企业
2006年   获得高新技术企业证书及高新技术产品证书
2006年   通过ISO9002:2000质量体系认证
晶兴理念
  开发太阳能 造福全人类
文化理念
  以人为本 创造和谐企业
晶兴荣誉
6英寸、6.5英寸单晶硅棒评为省高新技术产品(2005)
冀ICP备05000637号
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