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二极管级3寸单晶片技术参数 |
二极管级4寸单晶片技术参数 |
1. 外形尺寸
1.1 硅片直径 :76.2 土 0.4mm
1.2 弯曲度: ≤0.035mm
1.3 总厚度变化 :≤0.03 mm
1.4 垂直度：片内矩形对角线相等，公差土0.5mm
2. 技术参数
2.1 导电参数 :N 型
2.2 电阻率 :5-6OΩ .cm或按客户要求加工
2.3 少子寿命 : ≥100 μ s
2.4 氧含量 : <1.0 ×1018atoms/cm3
2.5 碳含量 : <5.0 × 1016atoms/cm3
2.6 晶向 : 〈111〉± 1.50
2.7 位错密度 : ≤3000个 /cm2
2.8 厚度:280-305μm |
1. 外形尺寸
1.1 硅片直径: 100±0.5mm
1.2 总厚度变化(TTV): 0.005μm
1.3 弯曲度: ≤0.030mm
2.技术参数
2.1 电阻率: 5-60Ω.cm或按客户要求加工
2.2 导电类型: N型
2.3 少子寿命: ≥100μs
2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm3
2.5 碳含量: <5×1016atoms/ cm3
2.6 晶向: (111)±1.5°
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太阳能电池用6寸单晶片技术参数 |
太阳能电池用8寸单晶片技术参数 |
1. 外形尺寸
1. 1 硅片直径: 150±0.4mm
1. 2 硅片宽度: 125±0.4mm
1. 3 硅片厚度: 200/190±20μm
1. 4 总厚度变化(TTV): 0.03mm
1. 5 垂直度: 片内矩形对角线相等,公差±0.5mm
1. 6 弯曲度: ≤0.035mm
2. 技术参数
2.1 电阻率: 0.5-3Ω.cm
2.2 导电类型: P型
2.3 少子寿命: ≥10μs
2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm3
2.5 碳含量: <10×1016atoms/ cm3
2.6 晶向: (100)±2.0°
2.7 位错密度:≤ 1×103个/cm2 |
1. 外形尺寸
1. 1 硅片直径: 195/200/205±2.0mm
1. 2 硅片宽度: 156±0.4mm
1. 3 硅片厚度: 200/190±10μm
1. 4 总厚度变化(TTV): ≤40μm
1. 5 垂直度: 90°±3°
1. 6 弯曲度: ≤0.035mm
2. 技术参数
2.1 电阻率: 0.5-3/3-6Ω.cm
2.2 导电类型: P型
2.3 少子寿命: ≥10μs
2.4 氧含量: <1×1018atoms/ cm3
2.5 碳含量: <10×1016atoms/ cm3
2.6 晶向: (100)±2°
2.7 位错密度: ≤1×103个/cm2 |
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联系人:靳经理;联系电话:0319-5856335,5856363;传真:0319-5856224;邮箱:hebeijl2008@163.com |
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