目前全球95%以上的晶硅电池采用P型掺硼晶硅制作，光照10小时后会产生5--8%的不可恢复效率衰减，该难题长期困扰国内外光伏界。用镓代替硼可以克服光衰。但镓的分凝系数非常小，K0=0.08（而硼在硅中的分凝系数为0.8），常规CZ法生长的掺镓硅单晶棒头部与尾部的电阻率相差甚大（达50-60倍），合格品仅占很小部分，故国内外均不能实现工业化生产。晶龙集团将掺镓硅单晶电阻率在不增加成本的前提下成功地控制在和掺硼一样的水平。实现了晶体100%的利用并抑制了95%以上的光衰。获国家发明专利和美国发明专利。平均消除6%的光衰，相当于效率提高一个百分点，成本下降6%，并已经产生巨大经济效益。
　　该技术的产业化示范推广已列入十二五国家“863”课题支持。
　　掺镓单晶硅片特性

　 　　掺镓单晶硅片与掺硼单晶硅片制成电池后光致衰减对比

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