美国加利福尼亚大学伯克利分校教授Eli Yablonovitch与美国Alta Devices公司组成的开发团队，开发出了转换效率为28.3%的单耦合型薄膜GaAs太阳能电池。这一消息是在美国举行的光学技术学会“Conference on Lasers and Electro Optics(CLEO)2012”(2012年5月6～11日，美国加利福尼亚州圣荷西市)上发布的。据Yablonovitch介绍，在2010年时单耦合型GaAs太阳能电池的转换效率最高值已超过26%(未聚光情况下)。
　　据介绍，此次开发的太阳能电池则基于了“逆向思维”，采用了提高单元背面的光反射率，尽量让太阳能电池内产生的光子逃逸到太阳能电池外部的构造。按常规来说，太阳能电池一般都采用尽量不使光子释放到外部的设计，而此次恰恰与常规相反。